被业界称为硅光子元年的台积电光引擎COUPE 将整共同封装光学（CPO）解决案咸阳万能胶厂，今日在技术论坛宣布重大成果，搭载COUPE 技术的全球个200Gbps 微环调变器（MRM），将于2026 年进入量产，并实现低于1E-08 的位元误差率。

台积电表示，与传统铜线相比，基板上搭载COUPE的CPO可提供4 倍的功耗率及减少90的延迟，公司正朝在中介层（interposer）上使用COUPE 技术，能可进步提升，实现10倍的功耗率与延迟减少95的卓越表现。

台积电强调，搭载COUPE 技术的全球个200Gbps 微环调变器（MRM）将于2026 年进入量产，采用COUPE 技术的MRM 在优异的制程控制下，实现低于1E-08 的位元误差率外咸阳万能胶厂，公司也持续扩展，以让400Gbps的调变器、多波长技术与多列光纤阵列单元，于2030年实现4Tbps/mm 的频宽密度。

除此之外，台积电也宣布非挥发记忆体技术正朝向MRAM 和RRAM（ 电阻式随机存取记忆体） 发展，而且制程将40/28/22 纳米缩小至16/12纳米。

台积电是在2022年开始以40/28/22nm量产RRAM，这项新型记忆体，保温护角专用胶具备速读写低功耗的特咸阳万能胶厂，是因应智能穿载及嵌入式应用而被采用的非挥发记忆体。台积电今日公布新的突破是12纳米的RRAM， 已准备好进行客户设计定案。

除此之外，28/22 纳米的RRAM也已通过车规Automotive Grade-1 认证；12 纳米的RRAM Auto预计于2026 年底出。

至于MRAM（磁阻式随机存取记忆体）是种具备速读写、非挥发（断电不丢失资料）及限次写入寿命的次世代记忆体技术。它结了SRAM 的速与快闪记忆体(Flash) 的非挥发咸阳万能胶厂，适用于嵌入式系统（eMRAM）、边缘运与汽车电子。

台积电今日也宣布，22 纳米的MRAM 已开始量产，16纳米MRAM 已准备好进行客户设计定案。此外用于提升逻辑密度及能的12 纳米MRAM 正在开发阶段，预计于2026 年底就绪。

至于备受市场关注的显示技术面，台积公司宣布出业界个FinFET 压平台，用于可折叠/轻薄OLED与AR 眼镜。

台积电强调技术跃进在于与N28HV 相比，N16HV 预计可将闸密度提41，并为阶智能型手机减少功耗35； N16HV 也提供了项用于近眼显示引擎背板的技术平台，与28nm 相比，可缩小芯片面积（die area）40并降低功耗20。

（来源：联报）

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