新乡泡沫板胶 SK海力士扩产三倍需八年，端内存价或将持续

在人工智能基础设施需求持续井喷的背景下，全球 HBM 内存龙头 SK 海力士正加速扩张产能。SK 集团会长崔泰源近日透露，公司计划将晶圆产能扩大至原来的三倍，但受限于建设周期，所有新增产能直到 2034 年才能投产。

这表态紧随 SK 海力士宣布"五年内产能翻倍"计划之后。崔泰源进步解释称，虽然计显示五年内可实现产能翻倍，但当所有设施建成后，到 2034 年左右实际产能规模将达到当前的三倍。目前，SK 海力士正在进四座新晶圆厂的建设，阶段有望在 2027 年上线。为此，公司已将原本计划耗时二十年的产量提升时间表大幅提前。"目前没有任何办法能比这快。"崔泰源表示。

选址考量与供应链布局

尽管大部分新增产能将落地韩国本土新乡泡沫板胶，SK 海力士也在积探索海外制造的可能。崔泰源特别指出，日本拥有稳健的半体供应链，是建厂的"佳"选择之。

作为 DRAM 和 NAND 闪存市场的三大巨头之（另两为三星和美光），SK 海力士近期估值大幅飙升。强劲的需求不仅动了公司收入的爆炸式增长，也致消费 DRAM 和 SSD 价格飞涨，pvc管道管件胶部分产品同比涨幅过两倍。

价周期或将延长至 2027 年

对于消费者而言，这波扩建潮难以在短期内缓解成本压力。分析指出，内存价格早也要到今年晚些时候才会见顶，且有可能在 2027 年前后趋于平稳，而非像过去那样在新产能上线后出现价格暴跌。

传统的存储芯片市场往往遵循"繁荣 - 萧条"周期：库存消耗动价格飙升，新产能释放则致价格急跌。然而，始于 2022 年的 AI 热潮改变了这格局。面，AI 基础设施的稳定需求平滑了市场波动；另面，行业在财务上困难的时期遭遇了扩建挑战。TechInsights 分析师指出，硅谷对 DRAM 行业的巨大需求使得额外产能的扩建具挑战。加之制程晶圆厂从建设到投产至少需要三年时间，内存供应商的景气度与价格恐将持续数年。

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